制造商型号: | DMC3730UVT-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMC3730UVT-13
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DMC3730UVT-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 680 mA, 460 mA
漏源电阻 450 mOhms, 1.1 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV, 1.1 V
栅极电荷 1.64 nC, 1.1 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 35 ns
上升时间 8 ns, 9 ns
典型关闭延迟时间 17 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10000 | 0.636966 | 6369.66 |