制造商型号： | DMN67D8LDW-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多DMN67D8LDW-13价格库存等采购信息！ |
DIODES(美台) DMN67D8LDW-13
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
DMN67D8LDW-13 中文资料
数据手册PDF
DMN67D8LDW-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 821 pC
耗散功率 410 mW
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 10000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥0.822046 总价：￥8220.46 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10000 | 0.822046 | 8220.46 |
品牌其他型号
DMN67D8LDW-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购DMN67D8LDW-13、查询DMN67D8LDW-13代理商； DMN67D8LDW-13价格批发咨询客服；这里拥有
DMN67D8LDW-13中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
DMN67D8LDW-13替代型号
、
DMN67D8LDW-13数据手册PDF。