制造商型号： | IXBT42N170-TRL |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IXBT42N170 TRL |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXBT42N170-TRL
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IXBT42N170-TRL 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 80 A
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 188 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 740 ns
正向跨导（Min） 24 S
上升时间 188 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 330 ns
典型接通延迟时间 36 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.500 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 400 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥310.163246 总价：￥124065.30 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 400 | 310.163246 | 124065.30 |
