制造商型号： | RGS60TS65DHRC11 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT. |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RGS60TS65DHRC11
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RGS60TS65DHRC11 中文资料
数据手册PDF
RGS60TS65DHRC11 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 56 A
耗散功率 223 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGS60TS65DHR
RGS60TS65DHRC11 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥96.335581 总价：￥96.34 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 96.335581 | 96.34 |
| 10 | 86.980297 | 869.80 |
| 100 | 72.00654 | 7200.65 |
| 500 | 62.702139 | 31351.07 |
| 1000 | 57.244802 | 57244.80 |
