制造商型号： | BSC057N08NS3GATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) BSC057N08NS3GATMA1
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BSC057N08NS3GATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSC057N08NS3GATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 40 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 16 ns
规格参数
开发套件 EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC057N08NS3 G SP000447542
单位重量 104.400 mg
库存： 12677
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 23.904728 | 23.90 |
| 10 | 19.845904 | 198.46 |
| 100 | 15.792061 | 1579.21 |
| 500 | 13.361995 | 6681.00 |
| 1000 | 11.337565 | 11337.57 |
| 2000 | 10.770698 | 21541.40 |
品牌其他型号
BSC057N08NS3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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