BSC057N08NS3GATMA1、IRFH5007TRPBF、BSC040N08NS5ATMA1对比区别

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型号 BSC057N08NS3GATMA1 IRFH5007TRPBF BSC040N08NS5ATMA1

描述 INFINEON  BSC057N08NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON  IRFH5007TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 75V, 3.6WBSC040N08NS5ATMA1 编带

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 PowerVDFN-8 PG-TDSON-8

额定功率 114 W 250 W 104 W

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0047 Ω 5.1 mΩ 5.7 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 114 W 3.6 W 104 W

阈值电压 2.8 V 4 V 2.2 V

输入电容 2900 pF - -

漏源极电压(Vds) 80 V 75 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 16A 100 A 100A

上升时间 14 ns 14 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @40V(Vds) 4290pF @25V(Vds) 3000pF @40V(Vds)

下降时间 9 ns 11 ns 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 114W (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 2500 mW

通道数 - 1 1

产品系列 - IRFH5007 -

漏源击穿电压 - 75 V 80 V

长度 5.35 mm 6 mm 5.9 mm

宽度 6.1 mm 5 mm 5.15 mm

高度 1.1 mm 0.83 mm 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8 PowerVDFN-8 PG-TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -