制造商型号: | BSC057N08NS3GATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) BSC057N08NS3GATMA1
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BSC057N08NS3GATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSC057N08NS3GATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 16 ns
规格参数
开发套件 EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC057N08NS3 G SP000447542
单位重量 104.400 mg
BSC057N08NS3GATMA1 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5000 | 5.998674 | 29993.37 |
10000 | 5.800101 | 58001.01 |
品牌其他型号
BSC057N08NS3GATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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