制造商型号: | DMN2041UVT-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 8V~24V TSOT26 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN2041UVT-7
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DMN2041UVT-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2041UVT-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 9.1 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 3000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.560211 | 5.56 |
10 | 4.460525 | 44.61 |
25 | 4.08243 | 102.06 |
100 | 2.563874 | 256.39 |
250 | 2.535456 | 633.86 |
500 | 2.374333 | 1187.17 |
1000 | 1.614438 | 1614.44 |