制造商型号: | IXXH75N60B3 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXXH75N60B3
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IXXH75N60B3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 160 A
耗散功率 750 W
集电极连续电流(Max) 300 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
30 | 72.193909 | 2165.82 |