制造商型号： | DMN601DWKQ-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN601DWKQ-7
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DMN601DWKQ-7 中文资料
数据手册PDF
DMN601DWKQ-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 304 pC
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.9 ns
正向跨导（Min） 80 ms
上升时间 3.4 ns
典型关闭延迟时间 15.7 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 30600
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.950367 | 5.95 |
| 10 | 4.448607 | 44.49 |
| 100 | 2.520405 | 252.04 |
| 500 | 1.668936 | 834.47 |
| 1000 | 1.279609 | 1279.61 |
