制造商型号: | EPC2101ENGRT |
制造商: | EPS |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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EPS EPC2101ENGRT
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EPC2101ENGRT 中文资料
数据手册PDF
EPC2101ENGRT 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2101ENGRT
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.5A, 38A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11.5mOhm @ 20A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
300pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
库存: 500
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 90.569653 | 90.57 |
10 | 81.821588 | 818.22 |
25 | 78.015934 | 1950.40 |
100 | 64.69614 | 6469.61 |
250 | 60.890485 | 15222.62 |