制造商型号: | DMC1018UPD-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMC1018UPD-13
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DMC1018UPD-13 中文资料
数据手册PDF
DMC1018UPD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V, 20 V
漏极电流 9.5 A, 6.9 A
漏源电阻 17 mOhms, 32 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV, 1.5 V
栅极电荷 30.4 nC, 8.6 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 116 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥7.576057 总价:¥7.58 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1 | 7.576057 | 7.58 |
品牌其他型号
DMC1018UPD-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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