制造商型号： | FS800R07A2E3B32BOSA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管IGBT |
商品描述： | IGBT MODULES |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) FS800R07A2E3B32BOSA1
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FS800R07A2E3B32BOSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
产品 IGBT Silicon Modules
商标 Infineon Technologies
技术类参数
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.4 V
在25 C的连续集电极电流 800 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
耗散功率 1.5 kW
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 Si
物理类型
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Modules
零件号别名 FS800R07A2E3_B32 SP001240894
FS800R07A2E3B32BOSA1 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥10955.278639 总价：￥32865.84 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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| 3 | 10955.278639 | 32865.84 |
