制造商型号: | DMTH4011SPDQ-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMTH4011SPDQ-13
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DMTH4011SPDQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMTH4011SPDQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 10.6 nC
耗散功率 37.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.9 ns
上升时间 3.8 ns
典型关闭延迟时间 8.6 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 97 mg
库存: 11817
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 13.612939 | 13.61 |
10 | 12.215183 | 122.15 |
100 | 9.526627 | 952.66 |
500 | 7.869739 | 3934.87 |
1000 | 6.21297 | 6212.97 |
品牌其他型号
DMTH4011SPDQ-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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