制造商型号: | QJD1210011 |
制造商: | Powerex Inc. |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Powerex Inc. QJD1210011
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QJD1210011 中文资料
数据手册PDF
QJD1210011 规格参数
属性
参数值
制造商型号
QJD1210011
制造商
Powerex Inc.
商品描述
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Silicon Carbide (SiC)
漏源电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
25mOhm @ 100A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
500nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
10200pF @ 800V
功率 - 最大值
900W
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
Module
供应商器件封装
Module
品牌其他型号
QJD1210011品牌厂家:Powerex Inc.
,所属分类: 射频晶体管
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