制造商型号: | ZXMN3F31DN8TA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZXMN3F31DN8TA
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ZXMN3F31DN8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN3F31DN8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.9 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
上升时间 3.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 500
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
33 | 5.15756 | 170.20 |
50 | 4.760813 | 238.04 |
100 | 4.364066 | 436.41 |
300 | 4.364066 | 1309.22 |
500 | 4.364066 | 2182.03 |
1000 | 3.96732 | 3967.32 |
品牌其他型号
ZXMN3F31DN8TA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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