制造商型号： | DMN2036UCB4-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN2036UCB4-7
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DMN2036UCB4-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2036UCB4-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, NPN
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 12.6 nC
耗散功率 1.45 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 572 ns
上升时间 278 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 738 ns
典型接通延迟时间 183 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.600 mg
库存： 2840
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.402095 | 8.40 |
| 10 | 7.191204 | 71.91 |
| 100 | 5.369927 | 536.99 |
| 500 | 4.219087 | 2109.54 |
| 1000 | 3.26026 | 3260.26 |
品牌其他型号
DMN2036UCB4-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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