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IXYS(艾赛斯.力特) IXFN320N17T2

IXYS(艾赛斯.力特) IXFN320N17T2
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXFN320N17T2

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
mouser
digikey

服务:

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IXFN320N17T2 中文资料

数据手册PDF

IXFN320N17T2 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

商标名 HiPerFET

技术类参数

栅极电压 - 20 V, + 20 V

配置 Single

下降时间 230 ns

漏极电流 260 A

通道数量 1 Channel

耗散功率 1.07 kW

漏源电阻 5.2 mOhms

上升时间 170 ns

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

典型关闭延迟时间 115 ns

典型接通延迟时间 46 ns

漏源击穿电压 170 V

栅源极阈值电压 5 V

物理类型

产品种类 分立半导体模块

类型 GigaMOS Trench T2 HiperFet

安装风格 Chassis Mount

产品类型 Discrete Semiconductor Modules

单位重量 30 g

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

10 个

整装:

¥10
单价:¥317.714654 总价:¥3177.15

价格(含增值税)

数量 单价 总价
10 317.714654 3177.15
品牌其他型号
IXFN320N17T2品牌厂家:IXYS ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IXFN320N17T2、查询IXFN320N17T2代理商; IXFN320N17T2价格批发咨询客服;这里拥有 IXFN320N17T2中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IXFN320N17T2替代型号IXFN320N17T2数据手册PDF