制造商型号： | IXFA10N80P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFA10N80P
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IXFA10N80P 中文资料
数据手册PDF
IXFA10N80P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 21 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 32.060199 | 32.06 |
| 10 | 28.806226 | 288.06 |
| 100 | 23.600554 | 2360.06 |
| 500 | 20.090921 | 10045.46 |
| 1000 | 16.94409 | 16944.09 |
品牌其他型号
IXFA10N80P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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