制造商型号: | FQB7N60TM |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) FQB7N60TM
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FQB7N60TM 中文资料
数据手册PDF
FQB7N60TM 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 6.4 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 30 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 588
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 21.15501 | 21.16 |
10 | 20.578972 | 205.79 |
30 | 20.204546 | 606.14 |
100 | 19.815721 | 1981.57 |
品牌其他型号
FQB7N60TM品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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