FQB7N60TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB7N60TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 7.40 A
通道数 1
漏源极电阻 1.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.40 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 1430pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 142W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB7N60TM引脚图与封装图
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在线购买FQB7N60TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB7N60TM | Fairchild 飞兆/仙童 | QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FQB7N60TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB7N60TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 600V 7.4A 1ohms | 当前型号 | QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FQB7N60TM_WS 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 600V 7.4A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | FQB7N60TM和FQB7N60TM_WS的区别 |
| 型号： STB9NK60ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 600V 7A 950mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB9NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V | FQB7N60TM和STB9NK60ZT4的区别 |
| 型号： STB6NK60ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 600V 6A 1.2ohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB6NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V | FQB7N60TM和STB6NK60ZT4的区别 |