制造商型号: | NTE2960 |
制造商: | NTE |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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NTE NTE2960
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NTE2960 中文资料
数据手册PDF
NTE2960 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTE2960
制造商
NTE
商品描述
MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
包装
-
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel
FET 功能
Standard
漏源电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2Ohm @ 3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1380pF @ 25V
功率 - 最大值
40W
工作温度
-55°C ~ 150°C
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装
TO-220 Full Pack
库存: 127
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 106.632485 | 106.63 |