制造商型号: | DMTH6010LPDQ-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMTH6010LPDQ-13
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DMTH6010LPDQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMTH6010LPDQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 47.6 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 40.2 nC
耗散功率 37.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 116 mg
库存: 23404
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.137656 | 19.14 |
10 | 15.658084 | 156.58 |
100 | 12.177266 | 1217.73 |
500 | 10.32166 | 5160.83 |
1000 | 8.408142 | 8408.14 |
品牌其他型号
DMTH6010LPDQ-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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