制造商型号： | SI7415DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI7415DN-T1-GE3
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SI7415DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7415DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.7 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 11 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7415DN-GE3
单位重量 1 g
库存： 29215
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.024297 | 22.02 |
| 10 | 18.263006 | 182.63 |
| 100 | 14.540326 | 1454.03 |
| 500 | 12.302715 | 6151.36 |
| 1000 | 10.438803 | 10438.80 |
品牌其他型号
SI7415DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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