SI7415DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.054 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids -5.70 A
上升时间 12 ns
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI7415DN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7415DN-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7415DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7415DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5.7A, POWERPAK | 搜索库存 |
替代型号SI7415DN-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7415DN-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK P-Channel -60V -5.7A | 当前型号 | VISHAY SI7415DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5.7A, POWERPAK | 当前型号 |
| 型号： SI7415DN-T1-E3 品牌： 威世 封装： PowerPAK P-Channel | 完全替代 | VISHAY SI7415DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -60 V, 54 mohm, -10 V, -3 V | SI7415DN-T1-GE3和SI7415DN-T1-E3的区别 |