制造商型号: | TSM6502CR RLG |
制造商: | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM6502CR RLG
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TSM6502CR RLG 中文资料
数据手册PDF
TSM6502CR RLG 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.4 A, 4 A
漏源电阻 28 mOhms, 73 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20.8 nC, 9.5 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 44 ns
上升时间 25 ns, 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns, 44 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns, 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM6502CR
单位重量 372.608 mg
库存: 6770
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 12.393178 | 12.39 |
10 | 10.1748 | 101.75 |
100 | 7.911805 | 791.18 |
500 | 6.706445 | 3353.22 |
1000 | 5.463037 | 5463.04 |
品牌其他型号
TSM6502CR RLG品牌厂家:Taiwan Semiconductor
,所属分类: 射频晶体管
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