制造商型号： | NDS9953A |
制造商： | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | P-CHANNEL POWER MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) NDS9953A
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NDS9953A 中文资料
数据手册PDF
NDS9953A 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NDS9953A
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
P-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
130mOhm @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
350pF @ 10V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOIC
库存： 292486
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 525 | 6.424009 | 3372.60 |
