制造商型号: | SI7820DN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI7820DN-T1-GE3
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SI7820DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7820DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 240 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7820DN-GE3
单位重量 1 g
库存: 11769
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.566471 | 18.57 |
10 | 15.413909 | 154.14 |
100 | 12.271315 | 1227.13 |
500 | 10.38277 | 5191.39 |
1000 | 8.809728 | 8809.73 |
品牌其他型号
SI7820DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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