制造商型号： | A2T21H410-24SR6 |
制造商： | NXP (恩智浦) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | IC TRANS RF LDMOS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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NXP(恩智浦) A2T21H410-24SR6
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A2T21H410-24SR6 中文资料
数据手册PDF
A2T21H410-24SR6 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 1.6 A, 2.7 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 65 V
工作频率 2.11 GHz to 2.17 GHz
输出功率 72 W
通道数量 2 Channel
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.2 V
规格参数
增益 15.6 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935312756128
单位重量 8.604 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 150 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥4796.98622 总价：￥719547.93 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 150 | 4796.98622 | 719547.93 |
品牌其他型号
A2T21H410-24SR6品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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