制造商型号: | IXGA30N120B3-TRL |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IXGA30N120B3 TRL |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXGA30N120B3-TRL
图像仅供参考
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IXGA30N120B3-TRL 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 GenX3
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.96 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 300 W
集电极连续电流(Max) 150 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 800 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥64.653382 总价:¥51722.71 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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800 | 64.653382 | 51722.71 |