制造商型号: | STP18N60M2 |
制造商: | ST (意法半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V TO-220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ST(意法半导体) STP18N60M2
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STP18N60M2 中文资料
数据手册PDF
STP18N60M2 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP18N60M2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V TO-220
包装
Tube
系列
MDmesh™ II Plus
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
280mOhm @ 6.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
21.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
791pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.769459 | 15.77 |
10 | 13.107458 | 131.07 |
100 | 10.430267 | 1043.03 |
500 | 8.825399 | 4412.70 |
1000 | 7.48825 | 7488.25 |
品牌其他型号
STP18N60M2品牌厂家:ST
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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