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STP18N60M2

STP18N60M2

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N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP18N60M2, 13 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220


立创商城:
STP18N60M2


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.255 ohm, 10 V, 3 V


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Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


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Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin TO-220AB Tube


富昌:
单 N沟道 600 V 110 W 13 A 0.28 Ω 法兰安装 功率 MosFET - TO-220-3


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Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


STP18N60M2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.28 Ω

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 791pF @100VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 10.6 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

STP18N60M2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STP18N60M2 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存