制造商型号： | GTVA262701FA-V2-R2 |
制造商： | CREE (科锐) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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CREE(科锐) GTVA262701FA-V2-R2
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GTVA262701FA-V2-R2 中文资料
数据手册PDF
GTVA262701FA-V2-R2 规格参数
关键信息
制造商 Wolfspeed
商标 Wolfspeed
技术类参数
晶体管类型 HEMT
技术 GaN-on-SiC
工作频率 2496 MHz to 2690 MHz
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 125 V
栅源极击穿电压 - 10 V to 2 V
漏极电流 12 A
输出功率 270 W
漏极/栅极电压（Max） -
耗散功率 -
应用 Cellular Power Amplifier
正向跨导（Min） -
规格参数
增益 17 dB
物理类型
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 Flange Mount
产品类型 RF JFET Transistors
GTVA262701FA-V2-R2 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 250 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥1751.312154 总价：￥437828.04 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 1751.312154 | 437828.04 |
品牌其他型号
GTVA262701FA-V2-R2品牌厂家：CREE
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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