制造商型号： | NTLJD2105LTBG |
制造商： | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | P-CHANNEL POWER MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) NTLJD2105LTBG
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NTLJD2105LTBG 中文资料
数据手册PDF
NTLJD2105LTBG 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTLJD2105LTBG
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
P-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
50mOhm @ 4A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
520mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装
6-WDFN (2x2)
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1250 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥2.833509 总价：￥3541.89 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1250 | 2.833509 | 3541.89 |
