制造商型号: | MRF8VP13350NR3 |
制造商: | NXP (恩智浦) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | TRANS RF LDMOS 350W 50V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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NXP(恩智浦) MRF8VP13350NR3
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MRF8VP13350NR3 中文资料
数据手册PDF
MRF8VP13350NR3 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 Si
漏极电流 1.3 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 100 V
工作频率 700 MHz to 1300 MHz
输出功率 350 W
湿度敏感性 Yes
通道数量 2 Channel
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
规格参数
增益 19.2 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935316089528
单位重量 3.065 g
MRF8VP13350NR3 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 250 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥3642.796016 总价:¥910699.00 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
250 | 3642.796016 | 910699.00 |
品牌其他型号
MRF8VP13350NR3品牌厂家:NXP
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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