制造商型号： | DMC3028LSDXQ-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMC3028LSDXQ-13
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DMC3028LSDXQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMC3028LSDXQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.2 A, 7.6 A
漏源电阻 35 mOhms, 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13.2 nC, 22 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.3 ns, 40.4 ns
上升时间 4.4 ns, 17.1 ns
典型关闭延迟时间 22.3 ns, 60.5 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns, 9.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 22559
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.129848 | 9.13 |
| 10 | 7.985729 | 79.86 |
| 100 | 6.125088 | 612.51 |
| 500 | 4.841825 | 2420.91 |
| 1000 | 3.873367 | 3873.37 |
品牌其他型号
DMC3028LSDXQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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