制造商型号: | IRF60DM206 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 130A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IRF60DM206
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IRF60DM206 中文资料
数据手册PDF
IRF60DM206 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 2.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 133 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 148 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 32 ns
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 17 ns
外形参数
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF60DM206 SP001561876
单位重量 500 mg
库存: 4292
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 33.114144 | 33.11 |
10 | 29.778017 | 297.78 |
25 | 28.087714 | 702.19 |
100 | 21.908466 | 2190.85 |
250 | 21.347255 | 5336.81 |
500 | 18.538236 | 9269.12 |
1000 | 15.729466 | 15729.47 |
品牌其他型号
IRF60DM206品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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