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IRF60DM206

IRF60DM206

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 130 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V

Benefits:

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Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
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Fully characterized capacitance and avalanche SOA
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Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
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Lead-free, RoHS compliant

得捷:
MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET


立创商城:
IRF60DM206


e络盟:
晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 130 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 6-Pin Direct-FET ME T/R


富昌:
IRF60DM206 系列 60 V 2.9 mOhm N沟道 功率 MOSFET - DirectFET® ISOMETRIC


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 130A


IRF60DM206中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0022 Ω

极性 N-CH

耗散功率 96 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 130A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 6530pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 Direct-FET

外形尺寸

封装 Direct-FET

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IRF60DM206引脚图与封装图
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IRF60DM206 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 130 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存