制造商型号: | IRFSL38N20DPBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IRFSL38N20DPBF
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IRFSL38N20DPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFSL38N20DPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 320 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 47 ns
上升时间 95 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Smps MOSFET
单位重量 2.387 g
品牌其他型号
IRFSL38N20DPBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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