制造商型号： | IXBN75N170A |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管IGBT |
商品描述： | IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXBN75N170A
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IXBN75N170A 中文资料
数据手册PDF
IXBN75N170A 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 BIMOSFET
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.7 kV
饱和电压 4.95 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 75 A
耗散功率 625 W
集电极连续电流 75 A
集电极连续电流（Max） 350 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
规格参数
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
外形参数
高度 9.6 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 30 g
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库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 340.806512 | 3408.07 |
品牌其他型号
IXBN75N170A品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管IGBT
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