制造商型号: | GT30J121(Q) |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 600V 30A 170W TO3PN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) GT30J121(Q)
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GT30J121(Q) 中文资料
数据手册PDF
GT30J121(Q) 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
集电极连续电流(Max) 30 A
外形参数
高度 19 mm
长度 15.9 mm
宽度 4.8 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.756 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 50 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥33.917285 总价:¥1695.86 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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50 | 33.917285 | 1695.86 |