制造商型号： | DMN2016UTS-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN2016UTS-13
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DMN2016UTS-13 中文资料
数据手册PDF
DMN2016UTS-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8.58 A
漏源电阻 16.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 16.5 nC
耗散功率 880 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16.27 ns
上升时间 11.66 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 59.38 ns
典型接通延迟时间 10.39 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 158 mg
DMN2016UTS-13 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.457681 总价：￥7.46 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.457681 | 7.46 |
| 10 | 6.356785 | 63.57 |
| 100 | 4.750424 | 475.04 |
| 500 | 3.73263 | 1866.32 |
| 1000 | 2.884229 | 2884.23 |
品牌其他型号
DMN2016UTS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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