制造商型号: | IPB180N06S4H1ATMA2 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPB180N06S4H1ATMA2
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IPB180N06S4H1ATMA2 中文资料
数据手册PDF
IPB180N06S4H1ATMA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 270 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 30 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB180N06S4-H1 SP001028786
单位重量 1.600 g
IPB180N06S4H1ATMA2 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1000 | 15.052581 | 15052.58 |
2000 | 14.173623 | 28347.25 |
5000 | 13.598064 | 67990.32 |
品牌其他型号
IPB180N06S4H1ATMA2品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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