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IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™ T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

AEC 合格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

IPB180N06S4H1ATMA2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 1.7 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 250 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 16840pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPB180N06S4H1ATMA2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号IPB180N06S4H1ATMA2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPB180N06S4H1ATMA2

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-263-7 N-CH 60V 180A

当前型号

Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号： IPB180N06S4H1ATMA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-263 N-Channel 60V 180A

类似代替

INFINEON  IPB180N06S4H1ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V

IPB180N06S4H1ATMA2和IPB180N06S4H1ATMA1的区别