制造商型号： | APTGT200DH60G |
制造商： | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别： | 晶体管IGBT |
商品描述： | IGBT MODULE 600V 290A 625W SP6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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MICROSEMI(美高森美) APTGT200DH60G
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APTGT200DH60G 中文资料
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APTGT200DH60G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTGT200DH60G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT MODULE 600V 290A 625W SP6
包装
-
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
配置
Asymmetrical Bridge
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
290A
功率 - 最大值
625W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1.9V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止（最大值）
250µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
12.3nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
No
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP6
供应商器件封装
SP6
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 100 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥1263.929788 总价：￥126392.98 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 100 | 1263.929788 | 126392.98 |
品牌其他型号
APTGT200DH60G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管IGBT
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