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MICROSEMI(美高森美) APTM100A23STG

MICROSEMI(美高森美) APTM100A23STG
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

APTM100A23STG

制造商:

MICROSEMI (美高森美)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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APTM100A23STG 中文资料

APTM100A23STG 规格参数

属性
参数值

制造商型号

APTM100A23STG

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Active

FET 类型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 功能

Standard

漏源电压(Vdss)

1000V (1kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

36A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

270mOhm @ 18A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

5V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

308nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

8700pF @ 25V

功率 - 最大值

694W

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/外壳

SP4

供应商器件封装

SP4

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

100 个

整装:

¥10
单价:¥1322.460272 总价:¥132246.03

价格(含增值税)

数量 单价 总价
100 1322.460272 132246.03
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