制造商型号: | APTM100A23STG |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APTM100A23STG
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APTM100A23STG 中文资料
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APTM100A23STG 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM100A23STG
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
Standard
漏源电压(Vdss)
1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
36A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
270mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
308nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
8700pF @ 25V
功率 - 最大值
694W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP4
供应商器件封装
SP4
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库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 100 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥1322.460272 总价:¥132246.03 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
100 | 1322.460272 | 132246.03 |
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APTM100A23STG品牌厂家:MICROSEMI
,所属分类: 射频晶体管
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