制造商型号: | IGB50N65S5ATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT PRODUCTS |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IGB50N65S5ATMA1
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IGB50N65S5ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IGB50N65S5ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
商标名 TRENCHSTOP
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.35 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 270 W
集电极连续电流(Max) 80 A
栅极—射极漏泄电流 50 uA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IGB50N65S5 SP001502566
单位重量 1.559 g
库存: 935
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 42.2576 | 42.26 |
10 | 37.982417 | 379.82 |
25 | 35.911547 | 897.79 |
100 | 28.730226 | 2873.02 |
250 | 27.134816 | 6783.70 |
500 | 25.538418 | 12769.21 |