制造商型号： | PMDPB58UPE,115 |
制造商： | Nexperia (安世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Nexperia(安世) PMDPB58UPE,115
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PMDPB58UPE,115 中文资料
数据手册PDF
PMDPB58UPE,115 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 58 mOhms, 58 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 9.5 nC
耗散功率 1.21 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns, 14 ns
正向跨导（Min） 9 S, 9 S
上升时间 15 ns, 15 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns, 41 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934066845115
单位重量 6.750 mg
库存： 18012
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.190619 | 5.19 |
| 10 | 4.412027 | 44.12 |
| 100 | 3.067409 | 306.74 |
| 500 | 2.394606 | 1197.30 |
| 1000 | 1.946236 | 1946.24 |
品牌其他型号
PMDPB58UPE,115品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 射频晶体管
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