制造商型号： | PMDPB30XN,115 |
制造商： | Nexperia (安世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Nexperia(安世) PMDPB30XN,115
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PMDPB30XN,115 中文资料
数据手册PDF
PMDPB30XN,115 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 14.4 nC
耗散功率 8.33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 4 ns
典型接通延迟时间 40 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934066581115
单位重量 6.750 mg
库存： 6825
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.620975 | 2.62 |
| 10 | 2.54897 | 25.49 |
| 30 | 2.505767 | 75.17 |
| 100 | 2.462564 | 246.26 |
品牌其他型号
PMDPB30XN,115品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 射频晶体管
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