制造商型号： | DGTD65T40S2PT |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DGTD65T40S2PT
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DGTD65T40S2PT 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 230 W
集电极连续电流（Max） 80 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥35.022564 总价：￥35.02 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 35.022564 | 35.02 |
| 10 | 30.333074 | 303.33 |
| 30 | 29.474436 | 884.23 |
| 100 | 28.615796 | 2861.58 |
| 500 | 28.236013 | 14118.01 |
